蒸镀中关键的两个参数是真空度(≤10-3Pa)和相对蒸发源的基片距离(10~50cm)。蒸镀过程中,中国台湾镀膜设备,膜层粒子与真空室中的气体的碰撞是应该避免的,镀膜设备生产,因此,相对蒸发源的基片距离应大于工作状态下真空室内气体分子的平均自由程。
溅射镀膜过程为:气体放电→等离子体→带电离子→电场作用→离子加速→高能离子→撞击靶材→溅射→发射靶材原子→飞向基板→形成沉积→获得薄膜。
离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜技术,将各种气体放电方式引入到气相沉积领域,整个气相沉积过程都是在等离子体中进行的。
全SUS304优质不锈钢机身,隐藏式双层冷却水套设计
合理配备多套全新研制的离子弧源,有效**弧源溅射的稳定性与均匀性
采用多路进气系统,精准控制气体流量,满足您多种化合物膜层需求。
装载大功率脉冲偏压电源,较大提高电粒子能量,从而获得的膜层结合力和光洁度
采用创新工艺制造,精益求精,通过欧盟CE和ISO质量管理体系认证;
镀膜设备PCVD技术具有沉积温度低,沉积速率快,绕镀性好,薄膜与基体结合强度好,设备操纵维护简单等优点,用PCVD法调节工艺参数方便灵活,轻易调整和控制薄膜厚度和成份组成结构,沉积出多层复合膜及多层梯度复合膜等优质膜,同时,真空镀膜设备价格,PCVD法还拓展了新的低温沉积领域,例如,用PCVD法可将TiN的反应温度由CVD法的1000℃降到200~500℃,用PCVD法制备纳米陶瓷薄膜的特点是:产品的杨氏模量、抗压强度和硬度都很高,镀膜设备厂,耐磨性好,化学性能稳定,性和腐蚀性好,有较高的高温强度。